原子力研究院、8インチNTDシリコン半導体を量産

【大田18日聯合ニュース】韓国原子力研究院ハナロ運営部のパク・サンジュン博士チームは18日、研究用原子炉「ハナロ」で、直径8インチのシリコン単結晶（インゴット）に中性子を照射する中性子ドーピング（NTD）法を利用し、高品質シリコン半導体を生産する技術を開発、量産に入ったと明らかにした。8インチのNTDシリコン半導体の量産はドイツ、豪州に次いで3番目。一度に60センチメートルのシリコン単結晶に中性子を照射できる装置も開発した。
　NTDシリコン半導体は、シリコンにリンを直接添加する一般的な化学工程に比べ、リンが均一に分布する。高速鉄道やハイブリッドカーのインバーターなど、高価な大電力用半導体素子の製造にも利用される。

　原子力研究院は2002年にハナロを利用し直径5インチのNTDシリコン半導体の量産を開始したのに続き、2005年からは6インチの製品を生産・輸出しており、世界市場で10%のシェアを占めている。