サムスン電子が30ナノ級DRAM量産開始、世界初

【ソウル21日聯合ニュース】サムスン電子は21日、30ナノメートル（1ナノは10億分の1）クラスのプロセスを用いた2ギガビットDDR3　DRAMの量産を今月から開始したと明らかにした。同クラスのDDR3　DRAM量産は世界で初めて。
　同社によると、この製品は昨年7月にやはり世界初の量産に入った40ナノクラス工程適用のDDR3 DRAMに比べ生産性が約60%高く、原価競争力は50～60ナノクラスDRAMの2倍以上に達する。パソコン向け製品では最速のデータ処理速度、2133Mbpsを実現した。これは従来のDDR3 DRAMの1．6倍、DDR2 DRAMの約3．5倍に当たる速度。
　また、大容量メモリー製品に適した設計で、消費電力を従来の製品より大幅に抑えた。デスクトップパソコンの4ギガバイトメモリーを使用する場合、この製品を基盤とするモジュールの1時間当たり消費電力は1．73ワットで、現在の主力DRAM製品、50ナノクラスDRAM基盤モジュール（消費電力4．95ワット）の半分以下となっている。
　同社は、主要CPU（中央演算処理装置）メーカーが販売を開始した30ナノクラスCPUにこの製品を搭載すれば、超節電・高性能の「30ナノCPU・DRAM」環境を実現できると話している。
　サムスン電子は、年内に30ナノクラス4ギガビットDDR3　DRAMの量産体制に入り、30ナノクラスDRAM市場の支配力を固める計画だ。