サムスンとIBM、次世代半導体プロセス共同開発

【ソウル13日聯合ニュース】サムスン電子は13日、米IBMと20ナノ以下ロジックプロセスの共同開発を進めると明らかにした。両社は戦略的提携を結んでおり、2005年から65ナノ、45ナノ、32ナノロジックプロセス技術を開発している。
　今回新たに開発に取り組む20ナノ以下プロセスは、高機能携帯電話（スマートフォン）やタブレット型端末など、モバイル機器向けの半導体だけでなく、高性能コンシューマー機器やクラウドコンピューティング分野にも幅広く用いることができる次世代半導体プロセス技術だ。
　共同開発は、IBMのニューヨークの研究所とサムスン電子の半導体研究所が進めていく予定。これに向けサムスン電子は、オールバニナノテク内の半導体研究の同盟（Semiconductor Research　Alliance）にも参加する。ここでは20ナノ未満プロセスの開発に向けた基礎段階として、新物質の開発やトランジスタ構造開発など先行研究開発事業を進める。
　サムスン電子半導体事業部システムLSI技術開発チームのチョン・ウンソン専務は、先行研究開発を通じ、両社の次世代プロセス能力を強化し、技術リーダーシップを維持していくと抱負を示した。
　IBM半導体部門のカディガン代表は、革新的なコンシューマー・コンピューティング機器を作るため、半導体分野の協力は極めて重要だとし、先行研究開発段階からサムスンと協力していくことになり大変うれしいと述べた。