ハイニックス半導体、世界最大容量DRAMを開発

【ソウル9日聯合ニュース】ハイニックス半導体は9日、シリコン貫通電極（TSV）技術で40ナノクラス2ギガバイトDDR3　DRAMを8段重ねた16ギガバイトDRAMの製造に成功したと明らかにした。単一パッケージで高容量16ギガバイトを実現したのはこれが初めて。
　この製品をモジュールとすれば最大64ギガバイトの高容量が可能になり、サーバーやワークステーションなど大容量メモリー需要に最適だとの説明だ。
　従来のワイヤボンディング技術を用いた方法では、高容量化のためチップを積層するほど信号伝達のためのワイヤーが複雑になりパッケージが大きくなる短所があったが、チップを垂直に重ね貫通電極を形成することで、2倍以上の積層が可能になった。
　ハイニックス半導体研究所所長の洪性柱（ホン・ソンジュ）専務は、TSV技術を適用した高容量メモリー製造技術は、向こう2～3年でメモリー産業の中核技術になるとの見方を示した。
　ハイニックスは2013年以降に本格化が予想される64ギガバイトモジュールの量産を準備するとともに、従来のモバイル向けDRAMよりデータ転送速度が8倍速いワイドI/O TSVの開発も進める方針だ。