サムスンが20ナノモバイルメモリー　世界初量産

【ソウル聯合ニュース】サムスン電子は17日、世界に先駆け、20ナノメートル（ナノは10億分の1）プロセスを採用した4ギガバイト（Gb）の低消費電力（LP）DDR2モバイルDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）の量産を先月開始したと発表した。
　超薄型で大容量、高性能が特長。業界最小サイズのチップは、モバイル機器メーカー各社が新たに発売するウルトラスリムの次世代モバイル機器にも適しているという。
　同社は昨年3月、30ナノプロセスの4Gb　LPDDR2の量産に入り、モバイルメモリーを最大容量である2ギガバイト（GB）まで拡大するなど、4Gb　DRAMに注力してきた。20ナノ製品の量産開始により、競争で優位に立つことになる。
　下半期（7～12月）には20ナノ製品の比重を拡大し、4Gb　DRAMのメーン製品に据えたい考えだ。