サムスン電子が開発した288キロバイトEEPROM内蔵の高性能スマートカード・チップ=12日、ソウル(聯合)
サムスン電子が開発した288キロバイトEEPROM内蔵の高性能スマートカード・チップ=12日、ソウル(聯合)
【ソウル12日聯合】サムスン電子は12日、288キロバイトEEPROMを内蔵した高性能スマートカード・チップを開発し、年末から量産に入ると明らかにした。
 開発された製品は、EEPROMを搭載したスマートカード・チップとしては初めて90ナノプロセスを採用した高性能製品で、モバイルテレビ分野や携帯電話用SIMカードといったユビキタス環境実現に向けた製品などに活用される見通しだ。

 また、同製品は288キロバイトEEPROMと合わせてサムスン電子が独自開発した高性能CPU基盤に16.5キロバイトSRAMと384キロバイトROMを搭載して記憶容量を増やし、ユーザー認証がより迅速に処理できるようになった。偽造やハッキング防止など、セキュリティ機能も強化されている。同社は今月から、90ナノプロセスEEPROMの新製品3種のサンプルを内外スマートカード製造メーカーに提供し始め、年末から本格的な量産に着手する予定だ。

 スマートカード・チップはCPUやメモリ、ソフトウェアなどが搭載されたシステムLSI半導体で、交通カードやクレジットカード、電子住民カード、GSM/WCDMA対応の携帯電話用SIMカードなどに使用され、ユーザーの認証やセキュリティ、個人データ保存などの機能を持つ。EEPROMは電気的にデータの書き込み・消去が可能なROMで、不揮発性メモリの一種。

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