中国に半導体技術を流出させた疑いでサムスン電子と協力会社の元社員を逮捕＝韓国報道

半導体の核心的技術を中国の会社に流出させた疑いが持たれているサムスン電子と協力会社の元社員が逮捕・拘束された。

法曹界によると15日、ソウル中央地裁のイ・ミンス令状専担部長判事は、元サムスン電子部長のキム容疑者と協力会社A社の元部長のパン容疑者に対し「証拠隠滅の恐れがある」として検察が請求した拘束令状を発行した。

検察によると、キム容疑者は国家の核心技術であるサムスン電子の18ナノDラム半導体の工程情報を無断で流出させ、中国企業の長鑫存儲技術（CXMT）の製品開発に使用させた疑いが持たれている。

検察はキム容疑者が専門分野である半導体の蒸着技術に関連した資料だけでなく、他の7つの工程に関する技術資料を渡したものとみている。検察はキム容疑者らが2016年に新興企業であるCXMTに転職して技術を流出させ、代価として数百億ウォン台の金品を授受していた疑いが持たれている。

また、キム容疑者が少なくとも5億ウォン（約5500万円）を超える金額を提示し、サムスン電子と関係会社の技術系社員約20人を引き抜いていたとみている。CXMTは設立後数年で中国の大手Dラム半導体メーカーに成長し、米国や韓国のライバル会社との技術格差を縮めている。

検察はキム容疑者らの身柄を確保した後、技術流出に加担した容疑者らに対して捜査を続ける計画だ。