メモリー大手3社が次世代広帯域メモリーで激しい競争、上半期中に量産へ＝韓国

サムスン電子がこのほど、業界初となる36ギガバイトの高帯域幅メモリー（HBM）において、12段積層技術を適用したDRAMの開発に成功したと発表した。24ギガビットのDRAMチップにおいてシリコン貫通電極（TSV）を用いることで、12段積層の「HBM3E（第5世代HBM） 12H（12段積層）」を実現した。

同社はことし1～6月期から、同製品の量産を開始する。これに先立ち供給を決めていた8段積層の「HBM3E 8H」と共に供給する予定だ。

DRAM市場で大きなシェアを占めるサムスン電子、SKハイニックス、米マイクロンは、早ければ3月から最先端の「HBM3E」製品の開発、量産を加速するとみられる。

マイクロンは自社サイトで「『HBM3E』の量産を開始した」と発表。24ギガバイトの「HBM3E 8H（8段積層）」製品は、4～6月期に出荷を開始する米半導体大手エヌビディアの画像処理半導体（GPU）「H200」に搭載されるという。

一方、SKハイニックスは「『HBM3E 8H』は1月に量産を開始している。12段積層製品は半導体素子の標準規格であるJEDECに合わせ、8段積層製品と同様の高さになる」と明かした。

業界では2026年ごろ、HBM4の量産を本格化できるとみている。