サムスン電子は現在、米テキサス州タイラー市に170億ドルを投じて建設中の半導体工場の規模と投資対象を拡大し、2030年までに既存の投資規模の2倍以上となる総額約450億ドルを投資する計画だ。
これにより、パッケージング施設と先端研究開発(R&D)施設を新築し、米国市場を本格的に攻略する方針だ。
最初に建設した工場では26年から回路線幅4ナノメートル(ナノは10億分の1)と2ナノメートルの半導体を生産し、2番目の工場では27年から先端半導体を量産する計画。研究・開発工場も27年に完成する予定だ。
今回米国政府がサムスン電子に支給する補助金の規模は、米半導体大手のインテル(85億ドル)とファウンドリー(半導体受託生産)世界最大手の台湾積体電路製造(TSMC、66億ドル)に次いで3番目に大きい。
半導体企業に対する米国政府のこのような支援は、先端半導体の供給網(サプライチェーン)を国内で整備するための経済安全保障戦略の一環だ。
米国は、先端技術を巡る中国との覇権争いが激化するなかで半導体の海外依存度が高い点を安保上のリスクと見なしてきた。
現在、米国内では先端半導体の生産が行われていないが、米国は果敢な投資を進めて30年までに世界の先端半導体の20%を国内で生産することを目標に掲げている。
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