米政府がSKシルトロンに5億ドル超の融資、半導体素材の開発支援で＝韓国報道

半導体材料のシリコンウエハーを製造するSKシルトロンはこのほど、米国法人のSKシルトロンCSSがSiC（シリコンカーバイド）ウエハー工場への投資と関連し、米国政府から5億ドル（USD、約774億5350万円）超の融資支援を受けると発表した。

SKシルトロンCSSは5日、米国エネルギー省と「先端技術車両製造（ATVM）融資プログラム」の本契約を締結した。同省融資プログラム局（LPO）が、ブログを通じて明らかにした。

今回の本契約は2024年2月に条件付きで承認された後、最終契約に至ったもので、金額は5億4400ドル（約842億7700万円）となる。パワー半導体の中核素材であるSiCウエハーを、米国が自国で生産するため企業を支援するのが目的だ。

SiCはパワー半導体の中核素材で、シリコンウエハーに比べ約10倍の高電圧で、従来の約3倍の高温環境下でも作動する点が特徴だ。電気自動車（EV）や再生可能エネルギー発電用のパワー半導体に使われる素材として、注目を集めている。

SKシルトロンは韓国キョンサンブクド（慶尚北道）のクミ（亀尾）と米国に生産体制を構築し、次世代製品である200ミリメートルのSiCウエハーの量産を、2025年から本格的に開始する予定だ。