広帯域メモリーで苦戦のサムスン電子、TSMCとの協力にも現実味＝韓国報道

韓国半導体大手のSKハイニックスは、2025年までの広帯域メモリー（HBM）の受注を終えた状態だ。業界では来年も同社がHBM市場でトップを維持するとみている。

一方サムスン電子は「8層積層・12層積層のHBM3Eいずれも量産中」と発表した。しかし供給が当初の予測の7～9月期より遅れているなど、HBM市場でのシェア拡大は不透明な状態だ。

サムスン電子がHBM3Eの製造に使う14ナノメートルクラス(1a)DRAM自体の性能は、SKハイニックスより劣るとの評価がある。このためサムスン電子はHBM製造用の1a DRAMの再設計を進めているという。

このためファウンドリー（半導体の受託製造）大手、台湾積体電路製造（TSMC）と協力する可能性もある。サムスン電子はこれまで設計からメモリー、ファウンドリー（半導体の受託製造）までのすべてを提供するワンストップソリューションを強調してきた。HBMパッケージの下段に配置されるベースダイも自社製造する計画だったが、この方針を変えたこととなる。市場トップを守ってきたメモリー事業が危機に陥っている今、これを克服するためにはHBMの技術力引き上げが必要との判断だ。ベースダイだけでなく、TSMCが優位との評価を受けているパッケージング分野でも協力が進む可能性がある。