高マージン先端DRAM事業集中…サムスン・SKハイニックス旧型整理

サムスン電子とSKハイニックスが高マージン先端DRAMメモリ事業に集中する歩みを見せている。中国メモリ企業の参入で低価格競争が激しくなる旧型製品の生産を減らす代わりに、先端工程のDRAM生産を通じて収益性をつかむという意図で解決される。

27日、市場調査機関トレンドフォースと外信などによると、サムスン電子はPC・モバイルに搭載される旧型DRAM DDR（ダブルデータレート）4に続き、第3世代高帯域幅メモリである「HBM2E」製品の段階的生産中断に入っている。第5世代HBMであるHBM3Eと第6世代HBM4に集中する計画だ。

今年1月のカンファレンスコールでサムスン電子は「先端プロセスランプアップを加速してHBM、DDR5、LPDDR5、GDDR7のような高付加価値製品の比重を積極的に増やしている」とし「DDR4、LPDDR4の場合、2024年の30％前半レベルだった売上の比重は今年は1桁である。旧型製品であるHBM2やDDR4を生産するのではなく、事業を整理する手順を踏むという意味だ。

SKハイニックスの今年の第1四半期の好調の背景は高マージン先端DRAMにある。SKハイニックスのDRAM売上の割合は前分期の74％から第1期で80％に拡大した。収益性の高いDRAM製品のおかげで営業利益率はなんと42％に達した。全体のDRAM売上でHBMが占める比重は50％水準まで拡大したと把握される。

SKハイニックスも先端DRAMプロセス拡大の計画を明らかにしてきた。SKハイニックスは、第2期に全体のHBM3E出荷量の半分以上がHBM3E12段で販売される予定だという。今年のHBM3E売上の大半を12段製品が占めると見た。特にHBM3E 12段はHBM3E 8段と比較した場合、容量基準で10%以上の価格プレミアムが存在すると推定される。製品ミックスレベルでも収益性に効力の役割を果たすのだ。

業界関係者は「市場主導権レベルでも先端DRAM工程に転換することが重要だ」とし「これは収益性の側面にも役立つ」と説明した。