メモリー大手3社が次世代広帯域メモリーで激しい競争、上半期中に量産へ＝韓国

サムスン電子がこのほど、業界初となる36ギガバイトの高帯域幅メモリー（HBM）において、12段積層技術を適用したDRAMの開発に成功したと発表した。24ギガビットのDRAMチップにおいてシリコン貫通電極（TSV）を用いることで、12段積層の「HBM3E（第5世代HBM） 12H（12段積層）」を実現した。