サムスン電子、40ナノDDR3　DRAM世界初量産

【ソウル21日聯合ニュース】サムスン電子が今月末から、40ナノメートルクラスのプロセスを採用した2ギガビット（Gb）の次世代半導体、DDR3　DRAMの本格量産を世界に先駆け開始する。1月に40ナノ級DRAMを開発してから半年で量産体制に入ることになる。
　サムスン電子が21日に明らかにしたところによると、40ナノ級DDR3　DRAMは、昨年9月に同社が世界で初めて量産を開始した50ナノ級製品に比べ生産性が6割ほど高い。1．35ボルトの動作電圧にもかかわらず、既存の1．5ボルト製品より約2割速い1．6Gbpsのデータ処理速度を可能にした。さらに電力消耗も既存のDDR2　DRAMより小さいなど、省エネ性能もアップした。
　サムスン電子はDDR3市場を拡大するため、サーバー用16ギガバイト（GB）、8GBモジュール（RDIMM）、ワークステーション、デスクトップパソコン用4GBモジュール（UDIMM）、ノートパソコン用4GBモジュール（SODIMM）など、大容量のメモリーモジュールを主力製品として供給する計画だ。
　専門調査会社のアイサプライによると、DDR3　DRAMがビット基準でDRAM市場全体に占める割合は、今年の20%から2012年には82%に急拡大するものと予想されている。